第二代的MOSFET产品提供业界领先的能源转换效率，而在同样的发光效率下其成本只有科锐前一代MOSFET产品的一半。从性价比来看，新型的MOSFET产品是更小尺寸以及更轻量化的选择，其碳化硅系统通过提高效率来降低成本，协助OEM客户降低系统成本，并为终端客户节省额外的花费。
德国弗莱堡（Freiburg）行内著名的Fraunhofer研究院（Fraunhofer-Institute）专家BrunoBurger博士表示：“我们已经在先进的太阳能电路中采用科锐第二代碳化硅功率MOSFET进行评估。它们拥有最好的效率，并能让系统在较高切换频率时运作，从而实现尺寸更小的被动元件，尤其是更小的电感器。这样大大提高了太阳能逆变器的成本/效能折衷，有助开发更小、更轻及更高效的系统。”
科锐功率及射频事业部副总裁及总经理CengizBalkas表示：“有了这个新MOSFET平台，我们在多个领域上都赢得客户的导入设计。由于第二代SiCMOSFET受到迅速接纳，我们不但提前为几家客户量产出货，而且我们也正在依客户要求加速量产。”
科锐现提供额定电阻为25毫欧姆及80毫欧姆的晶粒，前者作为50安培基本组件用于高功率模组；而80毫欧姆导功率MOSFET则采用TO-247封装，以优越性能及较低成本，取代科锐第一代产品CMF20120D。封装元件可通过代理商DigiKey、Mouser和Farnell公司即可购得。
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