据悉，电子偶素是一个电子与一个正电子组成的短周期、类原子结构。由于电子和正电子最终会湮灭产生光子，它的半衰期非常短。这种特性使其在研究物质内部性质方面具有重要价值。电子偶素在介质中的湮灭时间可作为一种非破坏性测量手段，已在正电子成像、PET扫描以及基础物理研究等领域获得广泛应用。
研究人员先用激光对硅样本进行照射，而后在硅表面浇灌正电子。在激光的照射下，他们发现硅释放出来的电子与正电子形成了电子偶素。通过这种方法，我们能够在非常宽的温度范围内，以可控的方式生产大量电子偶素。
这项工作表明在正电子到达前用激光照射样品表面，可以帮助正电子离开表面以免发生湮灭。电子偶素就会从样品表面自然生成，这种电子偶素的存在时间要比硅表面的正电子长200倍以上，因此很容易探测到。
研究人员解释说，之所以选择硅作为生成材料是因为它在电子学中应用极为广泛，可靠、廉价且十分有效。研究人员称，他们的最终目标是通过对电子偶素的研究更深入地了解反物质及其属性。研究小组希望在不久的将来能对电子偶素实施冷却，使其实现玻色爱因斯坦凝聚态，从而获得更多的实验用途。
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