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行业技术|美研发新一代记忆晶片 容量比现有产品多1000倍
作者:博一建材  2017-02-10  浏览:72
博一建材讯:据香港《东方日报》7月30日报道,美国半导体生产商英特尔(Intel)和Micron28宣布,成功研发出新一代记忆晶片3D Xpoint。

据报道,新晶片传送速度及耐用度都比NAND快闪记忆体高一千倍,容量也比传统记忆体多十倍,可以显著提升电脑智能手机和其他高科技产品的性能。生产商预计在2015年底生产样版,并研究应用此技术的产品。

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