上图展示的是被激光所激发的无缺陷二硫化钼（MoS2）单层半导体，其有助于透明LED显示屏、超高效率太阳能面板、光电探测器、以及纳米级晶体管的发展。
研究人员们打造出了只有7/10纳米厚度的二硫化钼层，比直径2.5nm的人类DNA还要细。将材料浸渍于超强酸中，能够祛除污染物和填充缺失的原子以修复缺陷——这一化学反应被称作“质子注入”（protonation）
业界对于单层半导体的浓厚兴趣，源于其对于光的低吸收、以及能够承受因弯曲和其它压力所造成的扭转的特性。这使得其成为了透明或柔性设备的理想选择，比如可变形的高性能LED显示屏，以及可以在断电时变成透明的装置。
上图左-Cal Logo形状的MoS2单层半导体；上图右-经过超强酸处理过后的效果。
这一工艺亦可通过移除缺陷来提升晶体管的性能，在芯片变得更小更薄的时候，缺陷也成为了制约计算机发展的一个重要阻碍。
Javey表示：“无缺陷单层材料的开发，还可以扫清许多开发新类型低能耗切换器时所遇到的问题”。该团队的工作成果，已经发表在了近日出版的《自然》（Science）期刊上。
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